HGTP12N60C3D
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | HGTP12N60C3D |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Testbedingung | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | 380µJ (on), 900µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40 ns |
Leistung - max | 104 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 48 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 24 A |
HGTP12N60C3D Einzelheiten PDF [English] | HGTP12N60C3D PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HGTP12N60C3DFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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